War der lokale Datenspeicher in Smartphones lange ein echter Flaschenhals für die Performance solcher Geräte, hat sich die Situation in den vergangenen Jahren nachhaltig verbessert. Dass die Entwicklung in dieser Hinsicht noch nicht zu Ende ist, demonstriert nun Samsung.

Startschuss

Samsung hat nach eigenen Angaben mit der Serienprodukten von UFS-3.1-Speicherchips begonnen. Diese versprechen beeindruckende Performance-Zuwächse. So soll die maximale Schreibgeschwindigkeit bei 1,2 GByte/s liegen, das wäre das dreifache von Samsungs UFS 3.0-Speichern. Verantwortlich dafür dürfte nicht zuletzt ein neues Feature namens "Write Booster" sein. Dabei handelt es sich um einen zusätzlichen Puffer, wie man ihn sonst von Solid-State-Disks kennt.

Wirklich relevant sind solche Datenraten vor allem bei größeren Dateien wie 8K-Videomaterial oder auch hochauflösende Fotos. Eine zweite von SSDs übernommene Technik namens Host Performance Booster soll wiederum die Performance bei Zufallszugriffen verbessern. Die maximale Leserate für seine UFS-3.1-Chips gibt Samsung übrigens mit 2,1 GByte/s an.

Ausblick

Seinen ersten Einsatz könnte UFS 3.1 im Galaxy Note 20 finden, das für den Sommer erwartet wird. Zunächst hat das Unternehmen mit der Produktion von entsprechenden Chips in der Größe von 512 GByte begonnen, Varianten in 256 und 128 GB sollen folgen. (apo, 18.03.2020)